星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薛玉雄; 陆江; 蔡小五; 刘刚; 杨世宇; 曹洲; 田恺 |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 42期号:12页码:5，1125-1129 |
| 关键词 | 功率mosfet器件 单粒子烧毁 锎源 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 英文摘要 | 针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值，为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1738]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛玉雄,陆江,蔡小五,等. 星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究[J]. 原子能科学技术,2008,42(12):5，1125-1129. |
| APA | 薛玉雄.,陆江.,蔡小五.,刘刚.,杨世宇.,...&田恺.(2008).星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究.原子能科学技术,42(12),5，1125-1129. |
| MLA | 薛玉雄,et al."星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究".原子能科学技术 42.12(2008):5，1125-1129. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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