体硅FinFET三维模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周华杰; 徐秋霞 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 14期号:6页码:6，949-954 |
| 关键词 | 体硅 Finfet 新结构 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟。模拟结果显示体硅FinFET器件能够有效的抑止短沟道效应，具有驱动电流大、散热好、成本低等优点。为了获得好的亚阈值特性，Fin的厚度要比较薄，同时Fin的高度不能太低，以保持足够的高度来抑止短沟道效应。沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计，从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响。另外，为了获得合适的器件阈值电压，体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极，同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1740]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周华杰,徐秋霞. 体硅FinFET三维模拟[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(6):6，949-954. |
| APA | 周华杰,&徐秋霞.(2008).体硅FinFET三维模拟.功能材料与器件学报,14(6),6，949-954. |
| MLA | 周华杰,et al."体硅FinFET三维模拟".功能材料与器件学报 14.6(2008):6，949-954. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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