PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范雪梅; 毕津顺; 刘梦新; 杜寰 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 38期号:6页码:6，817-822 |
| 关键词 | Pd Soi Mosfet 低频噪声 浮体效应 前背栅耦合效应 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 随着器件尺寸的不断减小，PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大。研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象，分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素。最后指出，可以通过添加体接触或将PD SOI器件改进为双栅结构，达到有效抑制低频过冲噪声的目的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1750]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范雪梅,毕津顺,刘梦新,等. PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展[J]. 微电子学,2008,38(6):6，817-822. |
| APA | 范雪梅,毕津顺,刘梦新,&杜寰.(2008).PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展.微电子学,38(6),6，817-822. |
| MLA | 范雪梅,et al."PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展".微电子学 38.6(2008):6，817-822. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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