基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板（field plate）长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm。研究了Γ栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响。器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析。8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率（PAE）35.31%,相应线性增益10.25 dB。