基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈中子; 曾轩; 陈晓娟 ; 刘果果; 袁婷婷; 张辉; 王亮; 李诚瞻; 庞磊; 刘新宇
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:6页码:3，1794-1796 |
| 关键词 | Algan/ganhemt |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm（10 W）,最大PAE=37.44%,线性增益9 dB. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1758]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈中子,曾轩,陈晓娟,等. 基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计[J]. 电子器件,2008,31(6):3，1794-1796. |
| APA | 陈中子.,曾轩.,陈晓娟.,刘果果.,袁婷婷.,...&刘键.(2008).基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计.电子器件,31(6),3，1794-1796. |
| MLA | 陈中子,et al."基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计".电子器件 31.6(2008):3，1794-1796. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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