0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘会东; 张海英; 孙肖磊; 陈普峰 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:6页码:4，1801-1803,1807 |
| 关键词 | 微波单片集成电路 宽带 数字衰减器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°-2°之间。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1760]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘会东,张海英,孙肖磊,等. 0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计[J]. 电子器件,2008,31(6):4，1801-1803,1807. |
| APA | 刘会东,张海英,孙肖磊,&陈普峰.(2008).0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计.电子器件,31(6),4，1801-1803,1807. |
| MLA | 刘会东,et al."0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计".电子器件 31.6(2008):4，1801-1803,1807. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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