T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:12页码:4，2331-2334 |
| 关键词 | Mhemt Inalas／ingaas 功率特性 T型栅 功率器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs／InGaAsMHEMT器件．该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能，跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS／mm，605mA／mm，-1．8V，138GHz和78GHz．在8GHz下，输入功率为-0．88（2．11）dBm时，输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14．05（13．79）dBm，14．9（11．68）dB，67．74（75．1）％，254（239）mW／mm，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1780]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎明,张海英,徐静波,等. T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件[J]. 半导体学报,2008,29(12):4，2331-2334. |
| APA | 黎明,张海英,徐静波,&付晓君.(2008).T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件.半导体学报,29(12),4，2331-2334. |
| MLA | 黎明,et al."T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件".半导体学报 29.12(2008):4，2331-2334. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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