阻变式存储器存储机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王永 ; 管伟华; 龙世兵; 刘明; 谢常青
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| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 37期号:12页码:5，870-874 |
| 关键词 | 非挥发性 |
| ISSN号 | 0379-4148 |
| 英文摘要 | 阻变式存储器（resistive random accessmemory，RRAM）是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器．它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力，成为目前新型存储器的一个重要研究方向．但阻变式存储器的电阴转变机理不明确，制约它的进一步研发与应用．文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳，总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1782]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永,管伟华,龙世兵,等. 阻变式存储器存储机理[J]. 物理,2008,37(12):5，870-874. |
| APA | 王永,管伟华,龙世兵,刘明,&谢常青.(2008).阻变式存储器存储机理.物理,37(12),5，870-874. |
| MLA | 王永,et al."阻变式存储器存储机理".物理 37.12(2008):5，870-874. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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