应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘海华; 段晓峰; 徐秋霞 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 27期号:5页码:6，364-369 |
| 关键词 | 应变硅 场效应晶体管 有限元方法 大角度会聚束电子衍射 |
| ISSN号 | 1000-6281 |
| 英文摘要 | 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层。大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1786]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘海华,段晓峰,徐秋霞. 应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究[J]. 电子显微学报,2008,27(5):6，364-369. |
| APA | 刘海华,段晓峰,&徐秋霞.(2008).应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究.电子显微学报,27(5),6，364-369. |
| MLA | 刘海华,et al."应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究".电子显微学报 27.5(2008):6，364-369. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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