InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈延湖; 申华军 ; 王显泰; 陈高鹏; 刘新宇; 袁东风; 王祖强
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:11页码:3，2098-2100 |
| 关键词 | Ingap/gaas Hbt 功率合成 混合集成电路 功率放大器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的In-GaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采用紧凑的微带线并联匹配网络进行功率分配和合成.在8.1GHz,偏置为Vcc=7V,Ic=230mA的AB类工作条件下,连续波最大输出功率为28.9dBm,功率合成效率达到80%. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1798]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈延湖,申华军,王显泰,等. InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制[J]. 半导体学报,2008,29(11):3，2098-2100. |
| APA | 陈延湖.,申华军.,王显泰.,陈高鹏.,刘新宇.,...&王祖强.(2008).InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制.半导体学报,29(11),3，2098-2100. |
| MLA | 陈延湖,et al."InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制".半导体学报 29.11(2008):3，2098-2100. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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