RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘梦新 ; 韩郑生; 毕津顺; 范雪梅; 刘刚; 杜寰; 宋李梅
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:11页码:6，2158-2163 |
| 关键词 | 部分耗尽 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征.实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad（Si）的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1804]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘梦新,韩郑生,毕津顺,等. RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应[J]. 半导体学报,2008,29(11):6，2158-2163. |
| APA | 刘梦新.,韩郑生.,毕津顺.,范雪梅.,刘刚.,...&宋李梅.(2008).RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应.半导体学报,29(11),6，2158-2163. |
| MLA | 刘梦新,et al."RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应".半导体学报 29.11(2008):6，2158-2163. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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