Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蔡小五; 海潮和; 陆江; 王立新; 刘刚; 刘梦新 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:4页码:4，754-756,777 |
| 关键词 | 叠层栅 界面态电荷 氧化物俘获电荷 电容 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 英文摘要 | 本论文主要分析了Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应，叠层栅MOS电容中SiO2为20nm，Si3N4厚度分别为40nm和110nm，通过辐照前后电容CV曲线的对比分析，发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用，同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚，将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1814]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡小五,海潮和,陆江,等. Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究[J]. 核电子学与探测技术,2008,28(4):4，754-756,777. |
| APA | 蔡小五,海潮和,陆江,王立新,刘刚,&刘梦新.(2008).Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究.核电子学与探测技术,28(4),4，754-756,777. |
| MLA | 蔡小五,et al."Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究".核电子学与探测技术 28.4(2008):4，754-756,777. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。