一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵发展; 郭天雷; 蔡小五; 刘刚; 海潮和; 杨善潮; 李瑞宾; 林东生 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:4页码:4，813-816 |
| 关键词 | 瞬态 Soi Mcu 辐照 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 英文摘要 | 针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法，开发了相配套的软件和硬件，并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验，成功地获得了所需要的数据，该MCU在剂量率为1E11 rad（Si）／s的瞬态辐照环境下工作正常。同时也证明了两套测试系统的可靠性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1816]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵发展,郭天雷,蔡小五,等. 一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析[J]. 核电子学与探测技术,2008,28(4):4，813-816. |
| APA | 赵发展.,郭天雷.,蔡小五.,刘刚.,海潮和.,...&林东生.(2008).一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析.核电子学与探测技术,28(4),4，813-816. |
| MLA | 赵发展,et al."一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析".核电子学与探测技术 28.4(2008):4，813-816. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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