电子束光刻制备5000 line/mm光栅掩模关键技术研究
文献类型:期刊论文
作者 | 朱效立![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 微细加工技术
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出版日期 | 2008 |
期号 | 4页码:3,4-5,13 |
关键词 | 电子束光刻 |
ISSN号 | 1003-8213 |
英文摘要 | 为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000 line/mm X射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100nm~110nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1820] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱效立,谢常青,赵珉,等. 电子束光刻制备5000 line/mm光栅掩模关键技术研究[J]. 微细加工技术,2008(4):3,4-5,13. |
APA | 朱效立.,谢常青.,赵珉.,陈宝钦.,叶甜春.,...&刘明.(2008).电子束光刻制备5000 line/mm光栅掩模关键技术研究.微细加工技术(4),3,4-5,13. |
MLA | 朱效立,et al."电子束光刻制备5000 line/mm光栅掩模关键技术研究".微细加工技术 .4(2008):3,4-5,13. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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