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HSQ用于电子束曝光的性能分析

文献类型:期刊论文

作者赵珉; 陈宝钦; 刘明; 谢常青; 朱效立
刊名微细加工技术
出版日期2008
期号4页码:4,10-13
关键词Hsq(hydrogen Silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
ISSN号1003-8213
英文摘要

作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子柬曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450nm胶层上,制作出100nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。

语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1822]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
赵珉,陈宝钦,刘明,等. HSQ用于电子束曝光的性能分析[J]. 微细加工技术,2008(4):4,10-13.
APA 赵珉,陈宝钦,刘明,谢常青,&朱效立.(2008).HSQ用于电子束曝光的性能分析.微细加工技术(4),4,10-13.
MLA 赵珉,et al."HSQ用于电子束曝光的性能分析".微细加工技术 .4(2008):4,10-13.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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