HSQ用于电子束曝光的性能分析
文献类型:期刊论文
作者 | 赵珉; 陈宝钦![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 微细加工技术
![]() |
出版日期 | 2008 |
期号 | 4页码:4,10-13 |
关键词 | Hsq(hydrogen Silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应 |
ISSN号 | 1003-8213 |
英文摘要 | 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子柬曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450nm胶层上,制作出100nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1822] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵珉,陈宝钦,刘明,等. HSQ用于电子束曝光的性能分析[J]. 微细加工技术,2008(4):4,10-13. |
APA | 赵珉,陈宝钦,刘明,谢常青,&朱效立.(2008).HSQ用于电子束曝光的性能分析.微细加工技术(4),4,10-13. |
MLA | 赵珉,et al."HSQ用于电子束曝光的性能分析".微细加工技术 .4(2008):4,10-13. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。