作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂，HSQ（hydrogen silsesquioxane）具有极高的分辨率（约5nm），由于灵敏度较低，限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能，通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大，并且其在电子柬曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件，在450nm胶层上，制作出100nm等间距光栅结构胶层图形，且其侧壁陡直性良好。