应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毕晓君; 张海英; 陈立强; 黄清华 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:10页码:5，1868-1872 |
| 关键词 | Td-scdma 功率放大器 Ingap/gaashbt 功率附加效率 邻近信道功率抑制比 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级间匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mm×0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和16%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了可能性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1828]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕晓君,张海英,陈立强,等. 应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器[J]. 半导体学报,2008,29(10):5，1868-1872. |
| APA | 毕晓君,张海英,陈立强,&黄清华.(2008).应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器.半导体学报,29(10),5，1868-1872. |
| MLA | 毕晓君,et al."应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器".半导体学报 29.10(2008):5，1868-1872. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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