截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金智 ; 程伟; 刘新宇; 徐安怀; 齐鸣
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:10页码:4，1898-1901 |
| 关键词 | Inp 异质结构双极晶体管 平坦化 高频 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT）.发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1830]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金智,程伟,刘新宇,等. 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管[J]. 半导体学报,2008,29(10):4，1898-1901. |
| APA | 金智,程伟,刘新宇,徐安怀,&齐鸣.(2008).截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管.半导体学报,29(10),4，1898-1901. |
| MLA | 金智,et al."截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管".半导体学报 29.10(2008):4，1898-1901. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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