低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王良坤; 马成炎; 叶甜春
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 38期号:5页码:5，674-678 |
| 关键词 | Cmos 射频集成电路 下变频混频器 Gps接收机 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制的物理理解，电路中采用了噪声消除技术，以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声，并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振，改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标。电路采用TSMC 0．25μmRF CMOS工艺实现，SSB噪声系数为7dB，电压转换增益为10．4dB，输入1dB压缩点为-22dBm，且输入阻抗匹配良好，输入反射系数为-17．8dB。全差分电路在2．5V供电电压下的功耗为10mW，可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1842]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良坤,马成炎,叶甜春. 低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计[J]. 微电子学,2008,38(5):5，674-678. |
| APA | 王良坤,马成炎,&叶甜春.(2008).低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计.微电子学,38(5),5，674-678. |
| MLA | 王良坤,et al."低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计".微电子学 38.5(2008):5，674-678. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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