双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象，降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法，对于70nm以下的栅氧厚度，采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法，同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺，消除了多晶硅残留现象，减少了工艺步骤，提高了成品率；对于厚度大于70nm或者100nm的厚栅氧器件，除了以上的改进措施，还增加了一步光刻工艺，分别单独形成高压和低压器件的源漏区域。通过这些方法，解决了多晶残留问题，得到了性能更好的LDMOS器件，大大提高了成品率。