中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的折中考虑与设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟新; 莫太山; 马成炎; 叶甜春
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:5页码:6，1466-1471 |
| 关键词 | 模数转换器 闪烁型 折中 转换率 滞回作用 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 对中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的四个主要模块的折中设计进行了研究。这些折中考虑包括基准电压的非理想因素、前置放大器的折中六边形思考、再生比较器的滞回作用、误差更正电路。在模块折中设计研究的基础上，CMOS闪烁型模数转换器可达到高性能和低功耗。根据这种设计考虑，采用TSMC 0．25μm CMOS单层多晶硅五层金属工艺实现了一个4bit65MHz的高转换率的闪烁型模数转换器。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1852]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟新,莫太山,马成炎,等. 中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的折中考虑与设计[J]. 电子器件,2008,31(5):6，1466-1471. |
| APA | 孟新,莫太山,马成炎,&叶甜春.(2008).中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的折中考虑与设计.电子器件,31(5),6，1466-1471. |
| MLA | 孟新,et al."中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的折中考虑与设计".电子器件 31.5(2008):6，1466-1471. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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