超低压ESD保护器件设计与工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 淮永进; 韩郑生
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:3页码:4，445-448 |
| 关键词 | 超低压保护器件 静电放电 模拟 复合型穿通结构 瞬态电压抑制器 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 英文摘要 | 介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点，并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1．8～5V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证，制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件，该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺，器件的电参数一致性非常理想，在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1860]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 淮永进,韩郑生. 超低压ESD保护器件设计与工艺研究[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(3):4，445-448. |
| APA | 淮永进,&韩郑生.(2008).超低压ESD保护器件设计与工艺研究.固体电子学研究与进展,28(3),4，445-448. |
| MLA | 淮永进,et al."超低压ESD保护器件设计与工艺研究".固体电子学研究与进展 28.3(2008):4，445-448. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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