200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:9页码:3，1679-1681 |
| 关键词 | Mhemt Inaias/ingaas 电子束光刻 T型栅 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1866]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎明,张海英,徐静波,等. 200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件[J]. 半导体学报,2008,29(9):3，1679-1681. |
| APA | 黎明,张海英,徐静波,&付晓君.(2008).200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件.半导体学报,29(9),3，1679-1681. |
| MLA | 黎明,et al."200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件".半导体学报 29.9(2008):3，1679-1681. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。