一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 葛霁 ; 金智; 刘新宇; 程伟; 王显泰; 陈高鹏; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:9页码:5，1799-1803 |
| 关键词 | 碰撞电离 温度依赖 超高速inp基shbt Sdd模型 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD（symbolically defined device）技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1868]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛霁,金智,刘新宇,等. 一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型[J]. 半导体学报,2008,29(9):5，1799-1803. |
| APA | 葛霁.,金智.,刘新宇.,程伟.,王显泰.,...&吴德馨.(2008).一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型.半导体学报,29(9),5，1799-1803. |
| MLA | 葛霁,et al."一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型".半导体学报 29.9(2008):5，1799-1803. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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