GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:9页码:4，1823-1826 |
| 关键词 | 增强/耗尽型phemt 逻辑控制电 单刀双掷开关 （spdt) 反相器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC~10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC~10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1870]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎明,张海英,徐静波,等. GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路[J]. 半导体学报,2008,29(9):4，1823-1826. |
| APA | 黎明,张海英,徐静波,&付晓君.(2008).GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路.半导体学报,29(9),4，1823-1826. |
| MLA | 黎明,et al."GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路".半导体学报 29.9(2008):4，1823-1826. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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