8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾轩; 陈晓娟 ; 刘果果; 袁婷婷; 陈中子; 张辉; 王亮; 李诚瞻; 庞磊; 刘新宇
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:8页码:4，1445-1448 |
| 关键词 | Algan/gan Hemts 内匹配 功率合成 微波功率放大器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm（20W）,线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1872]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾轩,陈晓娟,刘果果,等. 8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计[J]. 半导体学报,2008,29(8):4，1445-1448. |
| APA | 曾轩.,陈晓娟.,刘果果.,袁婷婷.,陈中子.,...&刘键.(2008).8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计.半导体学报,29(8),4，1445-1448. |
| MLA | 曾轩,et al."8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计".半导体学报 29.8(2008):4，1445-1448. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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