增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎明; 张海英; 徐静波; 李潇; 刘亮; 付晓君 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:8页码:4，1487-1490 |
| 关键词 | 增强型ingap/algaas/ingaas |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 针对InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1878]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎明,张海英,徐静波,等. 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺[J]. 半导体学报,2008,29(8):4，1487-1490. |
| APA | 黎明,张海英,徐静波,李潇,刘亮,&付晓君.(2008).增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺.半导体学报,29(8),4，1487-1490. |
| MLA | 黎明,et al."增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺".半导体学报 29.8(2008):4，1487-1490. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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