总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘梦新 ; 韩郑生; 李多力; 刘刚; 赵超荣; 赵发展
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:6页码:4，1036-1039 |
| 关键词 | 部分耗尽soi 译码器 总剂量 辐照 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译码器的抗总剂量能力达3×105rad（Si） ,nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于20和70mV,并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加,电路的功能并未退化. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1884]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘梦新,韩郑生,李多力,等. 总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器[J]. 半导体学报,2008,29(6):4，1036-1039. |
| APA | 刘梦新,韩郑生,李多力,刘刚,赵超荣,&赵发展.(2008).总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器.半导体学报,29(6),4，1036-1039. |
| MLA | 刘梦新,et al."总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器".半导体学报 29.6(2008):4，1036-1039. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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