X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴茹菲; 张海英; 尹军舰; 张健; 刘会东; 刘训春 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:5页码:4，832-835 |
| 关键词 | Pin二极管 低损耗 高隔离 开关 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管．讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响，并且介绍了工艺制备过程．测试结果表明在100MHz～12．1GHz范围内，正向电流为10mA时的开关电阻小于2．2Ω，而反向电压为-10V时开关电容小于20fF． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1896]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴茹菲,张海英,尹军舰,等. X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管[J]. 半导体学报,2008,29(5):4，832-835. |
| APA | 吴茹菲,张海英,尹军舰,张健,刘会东,&刘训春.(2008).X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管.半导体学报,29(5),4，832-835. |
| MLA | 吴茹菲,et al."X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管".半导体学报 29.5(2008):4，832-835. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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