C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关
文献类型:期刊论文
作者 | 吴茹菲; 张健; 尹军舰; 张海英 |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 29期号:5页码:4,879-882 |
关键词 | C波段 单刀单掷 开关 Gaas Pin二极管 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5~7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1898] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴茹菲,张健,尹军舰,等. C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关[J]. 半导体学报,2008,29(5):4,879-882. |
APA | 吴茹菲,张健,尹军舰,&张海英.(2008).C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关.半导体学报,29(5),4,879-882. |
MLA | 吴茹菲,et al."C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关".半导体学报 29.5(2008):4,879-882. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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