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C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关

文献类型:期刊论文

作者吴茹菲; 张健; 尹军舰; 张海英
刊名半导体学报
出版日期2008
卷号29期号:5页码:4,879-882
关键词C波段 单刀单掷 开关 Gaas Pin二极管
ISSN号0253-4177
英文摘要基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5~7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.
语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1898]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴茹菲,张健,尹军舰,等. C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关[J]. 半导体学报,2008,29(5):4,879-882.
APA 吴茹菲,张健,尹军舰,&张海英.(2008).C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关.半导体学报,29(5),4,879-882.
MLA 吴茹菲,et al."C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关".半导体学报 29.5(2008):4,879-882.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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