ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张庆钊 ; 谢常青; 刘明; 李兵; 朱效立; 陈宝钦
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:5页码:4，980-983 |
| 关键词 | 等离子体 射频偏压 Icp 干法刻蚀 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 对于上下电极双射频源的电感耦合（ICP）等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析．实验以氧气作为反应气体，采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定．结果表明，下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中（改变上下电极功率和气体压力）不再是平常认为的简单的比例关系，而是随着条件的改变，对应的趋势比例关系会发生转折性变化，这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1902]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张庆钊,谢常青,刘明,等. ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究[J]. 半导体学报,2008,29(5):4，980-983. |
| APA | 张庆钊,谢常青,刘明,李兵,朱效立,&陈宝钦.(2008).ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究.半导体学报,29(5),4，980-983. |
| MLA | 张庆钊,et al."ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究".半导体学报 29.5(2008):4，980-983. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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