CMOS射频集成电路ESD保护的挑战
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王自惠; 林琳 ; 王昕; 刘海南; 周玉梅
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:4页码:9，628-636 |
| 关键词 | 静电泄放 Esd保护 射频esd 寄生效应 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 随着集成电路（IC）工艺进入深亚微米水平,以及射频（Radio-Frequency,RF）IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放（ESD）保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应.本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态,总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1908]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王自惠,林琳,王昕,等. CMOS射频集成电路ESD保护的挑战[J]. 半导体学报,2008,29(4):9，628-636. |
| APA | 王自惠,林琳,王昕,刘海南,&周玉梅.(2008).CMOS射频集成电路ESD保护的挑战.半导体学报,29(4),9，628-636. |
| MLA | 王自惠,et al."CMOS射频集成电路ESD保护的挑战".半导体学报 29.4(2008):9，628-636. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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