基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张健; 李志强 ; 陈立强; 陈普峰; 张海英
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:4页码:5，655-659 |
| 关键词 | Sige Bicmos 锁相环 高纯度 环路带宽 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39-2.72GHz的频率范围内输出功率0dBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1910]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张健,李志强,陈立强,等. 基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器[J]. 半导体学报,2008,29(4):5，655-659. |
| APA | 张健,李志强,陈立强,陈普峰,&张海英.(2008).基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器.半导体学报,29(4),5，655-659. |
| MLA | 张健,et al."基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器".半导体学报 29.4(2008):5，655-659. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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