1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐静波 ; 黎明; 张海英; 王文新; 尹军舰; 刘亮; 李潇; 张健; 叶甜春
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:4页码:4，668-671 |
| 关键词 | Mhemt Pt/ti/pt/au Ti/pt/au Spdt Mmic |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502（503）mS/mm,JDSS为382（530）mA/mm,VT为0.1（-0.5）V,fT和fmax分别为13.4（14.8）,17.0（17.5）GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-10GHz单刀双掷（SPDT）开关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1912]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐静波,黎明,张海英,等. 1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC[J]. 半导体学报,2008,29(4):4，668-671. |
| APA | 徐静波.,黎明.,张海英.,王文新.,尹军舰.,...&叶甜春.(2008).1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC.半导体学报,29(4),4，668-671. |
| MLA | 徐静波,et al."1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC".半导体学报 29.4(2008):4，668-671. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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