GaAs PIN二极管的新等效电路模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴茹菲; 张海英; 尹军舰; 李潇; 刘会东; 刘训春 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:4页码:5，672-676 |
| 关键词 | Gaas Pin二极管 模型 参数提取 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成p^＋n^-结、基区和n^-n^＋结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1914]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴茹菲,张海英,尹军舰,等. GaAs PIN二极管的新等效电路模型[J]. 半导体学报,2008,29(4):5，672-676. |
| APA | 吴茹菲,张海英,尹军舰,李潇,刘会东,&刘训春.(2008).GaAs PIN二极管的新等效电路模型.半导体学报,29(4),5，672-676. |
| MLA | 吴茹菲,et al."GaAs PIN二极管的新等效电路模型".半导体学报 29.4(2008):5，672-676. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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