f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程伟; 金智 ; 刘新宇; 于进勇; 徐安怀; 齐鸣
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:3页码:4，414-417 |
| 关键词 | Inp 异质结晶体管 聚酰亚胺 平坦化 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP／InGaAs单异质结晶体管制作工艺中．在Vce=1．1V，Ic=33．5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1．4μm×15μm的器件，其f1达到210GHz．这种器件非常适合高速低功耗方面的应用，例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1918]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程伟,金智,刘新宇,等. f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管[J]. 半导体学报,2008,29(3):4，414-417. |
| APA | 程伟,金智,刘新宇,于进勇,徐安怀,&齐鸣.(2008).f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管.半导体学报,29(3),4，414-417. |
| MLA | 程伟,et al."f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管".半导体学报 29.3(2008):4，414-417. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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