具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏珂 ; 刘新宇; 和致经; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:3页码:5，554-558 |
| 关键词 | Algan／gan 高迁移率晶体管 肖特基特性 击穿电压 场板结构 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压．源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上，肖特基反向漏电由37μA减小到5．7μA，减小了一个量级．肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上．另外，还初步讨论了高频特性． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1920]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,刘新宇,和致经,等. 具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性[J]. 半导体学报,2008,29(3):5，554-558. |
| APA | 魏珂,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2008).具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性.半导体学报,29(3),5，554-558. |
| MLA | 魏珂,et al."具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性".半导体学报 29.3(2008):5，554-558. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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