隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许剑; 丁磊; 韩郑生 ; 钟传杰
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:3页码:4，559-562 |
| 关键词 | 阈值电压 二维效应 全耗尽soi Halo结构 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应．新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1922]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许剑,丁磊,韩郑生,等. 隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响[J]. 半导体学报,2008,29(3):4，559-562. |
| APA | 许剑,丁磊,韩郑生,&钟传杰.(2008).隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响.半导体学报,29(3),4，559-562. |
| MLA | 许剑,et al."隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响".半导体学报 29.3(2008):4，559-562. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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