基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 涂德钰; 姬濯宇 ; 商立伟; 刘明; 王丛舜; 胡文平
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:1页码:5，50-54 |
| 关键词 | 有机电子学 双稳态开关 交叉存储器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜，并进行了红外、紫外光谱表征．利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件．研究发现，Ti／AgTCNQ／Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性．将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3．8～5V，将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3．5～-4．4V，与通常的CuTCNQ器件相比较小．这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1936]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂德钰,姬濯宇,商立伟,等. 基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件[J]. 半导体学报,2008,29(1):5，50-54. |
| APA | 涂德钰,姬濯宇,商立伟,刘明,王丛舜,&胡文平.(2008).基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件.半导体学报,29(1),5，50-54. |
| MLA | 涂德钰,et al."基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件".半导体学报 29.1(2008):5，50-54. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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