SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵发展; 郭天雷; 海潮和; 彭菲 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:1页码:5，159-162,205 |
| 关键词 | 单粒子效应 Soi Sram 加固 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 英文摘要 | 随着SOI器件尺寸不断缩小，单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加，对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟，阐述了敏感区域的机理：截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离，漏极迅速收集电子产生瞬时电流，空穴向体区漂移并在体区堆积，使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流。良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴，抑制体电位的升高，降低漏极收集电流。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1944]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵发展,郭天雷,海潮和,等. SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟[J]. 核电子学与探测技术,2008,28(1):5，159-162,205. |
| APA | 赵发展,郭天雷,海潮和,&彭菲.(2008).SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟.核电子学与探测技术,28(1),5，159-162,205. |
| MLA | 赵发展,et al."SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟".核电子学与探测技术 28.1(2008):5，159-162,205. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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