PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毕津顺; 海潮和 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 1 |
| 关键词 | 部分耗尽绝缘体上硅 环形栅 浮体效应 体源连接 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 英文摘要 | 提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使器件性能得到很大的提高。消除了浮体环形栅器件的反常亚阈值斜率和Kink效应,DIBL从120.7mV/V降低到3.45mV/V,关态击穿电压从4.8V提高到12.1V。最后指出,体源连接环形栅器件非常适合于抗辐照加固等应用领域。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1958]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,海潮和. PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2008(1). |
| APA | 毕津顺,&海潮和.(2008).PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究.固体电子学研究与进展(1). |
| MLA | 毕津顺,et al."PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究".固体电子学研究与进展 .1(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。