4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
文献类型:期刊论文
作者 | 张健; 张海英![]() ![]() |
刊名 | 电子器件
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 31期号:4页码:4,1120-1123 |
关键词 | Gaas Hbt 混频器 阻抗匹配 带宽扩展 |
ISSN号 | 1005-9490 |
英文摘要 | 介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3~10GHz频带内小于-10dB。在固定中频200MHz情况下测试,在4~8GHz射频频带内,平均增益10dB,波动小于1dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25dB,对本振信号的隔离度优于28dB;本振-射频端口隔离度优于32dB。在3.3V直流电压下测得的功耗为66mW。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1968] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张健,张海英,陈立强,等. 4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器[J]. 电子器件,2008,31(4):4,1120-1123. |
APA | 张健,张海英,陈立强,李志强,&陈普峰.(2008).4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器.电子器件,31(4),4,1120-1123. |
MLA | 张健,et al."4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器".电子器件 31.4(2008):4,1120-1123. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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