中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器

文献类型:期刊论文

作者张健; 张海英; 陈立强; 李志强; 陈普峰
刊名电子器件
出版日期2008
卷号31期号:4页码:4,1120-1123
关键词Gaas Hbt 混频器 阻抗匹配 带宽扩展
ISSN号1005-9490
英文摘要

介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3~10GHz频带内小于-10dB。在固定中频200MHz情况下测试,在4~8GHz射频频带内,平均增益10dB,波动小于1dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25dB,对本振信号的隔离度优于28dB;本振-射频端口隔离度优于32dB。在3.3V直流电压下测得的功耗为66mW。

语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1968]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张健,张海英,陈立强,等. 4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器[J]. 电子器件,2008,31(4):4,1120-1123.
APA 张健,张海英,陈立强,李志强,&陈普峰.(2008).4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器.电子器件,31(4),4,1120-1123.
MLA 张健,et al."4~8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器".电子器件 31.4(2008):4,1120-1123.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。