Flash Memory测试技术发展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭桂良; 朱思奇; 阎跃鹏 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:4页码:4，1130-1133 |
| 关键词 | 闪存 测试 自建测试 错误模型 March |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 从Flash memory测试技术的发展背景出发，论述了flash memory测试技术的发展现状以及前景。同时重点对Flash-march算法和BF＆D算法进行了分析和评价。指出Flash memory的发展是以测试技术的发展为基础的，必须把Flash memory本身的发展和测试技术的发展综合考虑，才能有助于两者的协调发展。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1970]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭桂良,朱思奇,阎跃鹏. Flash Memory测试技术发展[J]. 电子器件,2008,31(4):4，1130-1133. |
| APA | 郭桂良,朱思奇,&阎跃鹏.(2008).Flash Memory测试技术发展.电子器件,31(4),4，1130-1133. |
| MLA | 郭桂良,et al."Flash Memory测试技术发展".电子器件 31.4(2008):4，1130-1133. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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