总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭天雷; 赵发展 ; 刘刚; 海潮和; 韩郑生; 袁国顺; 李素杰; 姜明哲; 张英武
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 14期号:3页码:5，619-623 |
| 关键词 | 部分耗尽soi |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 对辐照加固的部分耗尽（Partially Depleted）SOI 8位微控制器（MCU）的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm。对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co^60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×10^6rad（Si）,完全满足航空航天领域应用的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2000]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭天雷,赵发展,刘刚,等. 总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(3):5，619-623. |
| APA | 郭天雷.,赵发展.,刘刚.,海潮和.,韩郑生.,...&张英武.(2008).总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器.功能材料与器件学报,14(3),5，619-623. |
| MLA | 郭天雷,et al."总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器".功能材料与器件学报 14.3(2008):5，619-623. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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