一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器
文献类型:期刊论文
作者 | 孟新; 马成炎; 叶甜春![]() |
刊名 | 微电子学
![]() |
出版日期 | 2008 |
卷号 | 38期号:3页码:4,435-438 |
关键词 | 亚阈值 Cmos集成电路 晶体振荡器 环路增益 |
ISSN号 | 1004-3365 |
英文摘要 | 提出了一种基于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器电路。通过环路增益和相位的分析,得出了一般晶体振荡电路的振荡性能优化条件;并通过亚阈值电流源、亚阈值MOS管反馈、电流源放大缓冲级以及电路的其他改进,进一步优化振荡电路的性能。根据这种设计,采用SMIC 0.18μm CMOS单层多晶硅六层金属工艺,实现了一个功耗电流0.7μA的CMOS晶体振荡器。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2010] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟新,马成炎,叶甜春,等. 一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器[J]. 微电子学,2008,38(3):4,435-438. |
APA | 孟新,马成炎,叶甜春,&殷明.(2008).一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器.微电子学,38(3),4,435-438. |
MLA | 孟新,et al."一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器".微电子学 38.3(2008):4,435-438. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。