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一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器

文献类型:期刊论文

作者孟新; 马成炎; 叶甜春; 殷明
刊名微电子学
出版日期2008
卷号38期号:3页码:4,435-438
关键词亚阈值 Cmos集成电路 晶体振荡器 环路增益
ISSN号1004-3365
英文摘要

提出了一种基于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器电路。通过环路增益和相位的分析,得出了一般晶体振荡电路的振荡性能优化条件;并通过亚阈值电流源、亚阈值MOS管反馈、电流源放大缓冲级以及电路的其他改进,进一步优化振荡电路的性能。根据这种设计,采用SMIC 0.18μm CMOS单层多晶硅六层金属工艺,实现了一个功耗电流0.7μA的CMOS晶体振荡器。

语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2010]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孟新,马成炎,叶甜春,等. 一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器[J]. 微电子学,2008,38(3):4,435-438.
APA 孟新,马成炎,叶甜春,&殷明.(2008).一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器.微电子学,38(3),4,435-438.
MLA 孟新,et al."一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器".微电子学 38.3(2008):4,435-438.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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