低压VDMOS金属层电阻的模拟分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立新; 夏洋 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:3页码:3，783-785 |
| 关键词 | Vdmos Dracula 电阻模型 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型，并对此模型进行Hspice模拟，确定了金属层厚度大于5μm时，金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层金属工艺方法，实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2012]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立新,夏洋. 低压VDMOS金属层电阻的模拟分析[J]. 电子器件,2008,31(3):3，783-785. |
| APA | 王立新,&夏洋.(2008).低压VDMOS金属层电阻的模拟分析.电子器件,31(3),3，783-785. |
| MLA | 王立新,et al."低压VDMOS金属层电阻的模拟分析".电子器件 31.3(2008):3，783-785. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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