BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理
文献类型:期刊论文
作者 | 陆江; 王立新 |
刊名 | 传感器世界
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 14期号:5页码:5,26-30 |
关键词 | 霍尔效应 传感器 斩波 微功耗 可编程 |
ISSN号 | 1006-883X |
英文摘要 | 随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展,硅霍尔传感器性能得到大幅度提高,特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术,使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2030] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆江,王立新. BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理[J]. 传感器世界,2008,14(5):5,26-30. |
APA | 陆江,&王立新.(2008).BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理.传感器世界,14(5),5,26-30. |
MLA | 陆江,et al."BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理".传感器世界 14.5(2008):5,26-30. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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