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BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理

文献类型:期刊论文

作者陆江; 王立新
刊名传感器世界
出版日期2008
卷号14期号:5页码:5,26-30
关键词霍尔效应 传感器 斩波 微功耗 可编程
ISSN号1006-883X
英文摘要随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展,硅霍尔传感器性能得到大幅度提高,特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术,使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。
语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2030]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
陆江,王立新. BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理[J]. 传感器世界,2008,14(5):5,26-30.
APA 陆江,&王立新.(2008).BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理.传感器世界,14(5),5,26-30.
MLA 陆江,et al."BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理".传感器世界 14.5(2008):5,26-30.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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