BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆江; 王立新 |
| 刊名 | 传感器世界
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 14期号:5页码:5，26-30 |
| 关键词 | 霍尔效应 传感器 斩波 微功耗 可编程 |
| ISSN号 | 1006-883X |
| 英文摘要 | 随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展，硅霍尔传感器性能得到大幅度提高，特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术，使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2030]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆江,王立新. BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理[J]. 传感器世界,2008,14(5):5，26-30. |
| APA | 陆江,&王立新.(2008).BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理.传感器世界,14(5),5，26-30. |
| MLA | 陆江,et al."BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理".传感器世界 14.5(2008):5，26-30. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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