翘板式射频MEMS开关的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 罗小光; 刘茂哲; 李全宝; 焦斌斌![]() ![]() ![]() |
刊名 | 微纳电子技术
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 45期号:5页码:5,282-286 |
关键词 | 射频开关 单晶硅 微机电系统(mems) 静电驱动 驱动电压 共面波导(cpw) |
ISSN号 | 1671-4776 |
英文摘要 | 提出了一种新型的翘板式静电射频微系统开关,给出了理论模拟,结构分析结果和工艺制作方法。该结构采用了5μm厚的无应力单晶硅作为开关的可动部分,可以缓解薄膜应力变形。翘板式结构解决了传统静电设计中动作力弱的问题,并且通过调整支点解决了开关回复力不可调的难题。利用该结构可以在保持高隔离度的同时使驱动电压降低,有限元理论模拟驱动电压为5~10V;采用翘板式结构增加了开关的使用周期,而且结构自身具有单刀双掷特点,可以直接应用于高频通信的频道选择。给出了开关共面波导传输线的测试结果和设计讨论。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2040] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗小光,刘茂哲,李全宝,等. 翘板式射频MEMS开关的研究[J]. 微纳电子技术,2008,45(5):5,282-286. |
APA | 罗小光.,刘茂哲.,李全宝.,焦斌斌.,高超群.,...&叶甜春.(2008).翘板式射频MEMS开关的研究.微纳电子技术,45(5),5,282-286. |
MLA | 罗小光,et al."翘板式射频MEMS开关的研究".微纳电子技术 45.5(2008):5,282-286. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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