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翘板式射频MEMS开关的研究

文献类型:期刊论文

作者罗小光; 刘茂哲; 李全宝; 焦斌斌; 高超群; 景玉鹏; 叶甜春
刊名微纳电子技术
出版日期2008
卷号45期号:5页码:5,282-286
关键词射频开关 单晶硅 微机电系统(mems) 静电驱动 驱动电压 共面波导(cpw)
ISSN号1671-4776
英文摘要

提出了一种新型的翘板式静电射频微系统开关,给出了理论模拟,结构分析结果和工艺制作方法。该结构采用了5μm厚的无应力单晶硅作为开关的可动部分,可以缓解薄膜应力变形。翘板式结构解决了传统静电设计中动作力弱的问题,并且通过调整支点解决了开关回复力不可调的难题。利用该结构可以在保持高隔离度的同时使驱动电压降低,有限元理论模拟驱动电压为5~10V;采用翘板式结构增加了开关的使用周期,而且结构自身具有单刀双掷特点,可以直接应用于高频通信的频道选择。给出了开关共面波导传输线的测试结果和设计讨论。

语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2040]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
罗小光,刘茂哲,李全宝,等. 翘板式射频MEMS开关的研究[J]. 微纳电子技术,2008,45(5):5,282-286.
APA 罗小光.,刘茂哲.,李全宝.,焦斌斌.,高超群.,...&叶甜春.(2008).翘板式射频MEMS开关的研究.微纳电子技术,45(5),5,282-286.
MLA 罗小光,et al."翘板式射频MEMS开关的研究".微纳电子技术 45.5(2008):5,282-286.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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