Cu互连及其关键工艺技术研究现状
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵超荣; 杜寰 ; 刘梦新; 韩郑生
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 33期号:5页码:4，374-377 |
| 关键词 | 铜互连 阻挡层材料 电化学镀铜 化学机械抛光 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 英文摘要 | 低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时。Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料。论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状。对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2044]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵超荣,杜寰,刘梦新,等. Cu互连及其关键工艺技术研究现状[J]. 半导体技术,2008,33(5):4，374-377. |
| APA | 赵超荣,杜寰,刘梦新,&韩郑生.(2008).Cu互连及其关键工艺技术研究现状.半导体技术,33(5),4，374-377. |
| MLA | 赵超荣,et al."Cu互连及其关键工艺技术研究现状".半导体技术 33.5(2008):4，374-377. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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