LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁磊; 许剑; 韩郑生 ; 梅沁; 钟传杰
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 23期号:2页码:5，173-177 |
| 关键词 | 多晶硅薄膜晶体管 Kink效应 Medici Tsuprem4 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 英文摘要 | 利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系。计算结果表明，随着LDD掺杂剂量的变化，KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值，在掺杂为2×10^12 cm^-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的，即随着离子注入能量的增加，KINK效应的影响变小。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2050]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁磊,许剑,韩郑生,等. LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响[J]. 液晶与显示,2008,23(2):5，173-177. |
| APA | 丁磊,许剑,韩郑生,梅沁,&钟传杰.(2008).LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响.液晶与显示,23(2),5，173-177. |
| MLA | 丁磊,et al."LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响".液晶与显示 23.2(2008):5，173-177. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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