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2.4GHzCMOS低噪声放大器设计

文献类型:期刊论文

作者王良坤; 马成炎; 叶甜春
刊名微电子学
出版日期2008
卷号38期号:2页码:5,262-266
关键词Cmos 射频集成电路 低噪声放大器 无线接收机
ISSN号1004-3365
英文摘要

提出并设计了一个2.4GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RFCMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振,使整个电路的线性度、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为17dB,NF为1.35dB,IIP3为8.1dBm,功耗为16mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足无线接收机射频前端对高线性度低噪声放大器的要求。

语种中文
公开日期2010-05-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2056]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王良坤,马成炎,叶甜春. 2.4GHzCMOS低噪声放大器设计[J]. 微电子学,2008,38(2):5,262-266.
APA 王良坤,马成炎,&叶甜春.(2008).2.4GHzCMOS低噪声放大器设计.微电子学,38(2),5,262-266.
MLA 王良坤,et al."2.4GHzCMOS低噪声放大器设计".微电子学 38.2(2008):5,262-266.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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